RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
60
66
Около 9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.0
2,168.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
66
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
16.5
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
1934
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link