RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
14.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
77
Около -267% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
21
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
18.6
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3356
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB Сравнения RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Mushkin 994083 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link