RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
17
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.7
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
24
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
17.0
Скорость записи, Гб/сек
12.0
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
3230
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link