Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Shenzen Recadata Storage Technology 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Средняя оценка

Shenzen Recadata Storage Technology 8GB

Shenzen Recadata Storage Technology 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Shenzen Recadata Storage Technology 8GB

Причины выбрать
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

22 23

Около -5% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17 13.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.5 8.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Shenzen Recadata Storage Technology 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

23 22
Скорость чтения, Гб/сек

13.4 17.0
Скорость записи, Гб/сек

8.0 10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2269 2820

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB

Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB

Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB

G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Kingston KMKYF9-HYA 8GB

Kingston KMKYF9-HYA 8GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB

Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB

Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB

Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB

Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB

модули RAM