RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против AMD R748G2400S2S 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
AMD R748G2400S2S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
135
Около 79% меньшая задержка
Причины выбрать
AMD R748G2400S2S 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.2
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
135
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
15.2
Скорость записи, Гб/сек
7.5
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
1359
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link