RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
50
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
17.1
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2960
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link