RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
81
Около 68% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.3
12.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
81
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
13.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
1456
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link