RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
16
26
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.1
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
16
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
22.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
18.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3906
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link