RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
16
26
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.1
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
16
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
22.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
18.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3906
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Inmos + 256MB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link