RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
44
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
33
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
3136
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3U1333C9 2GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link