RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
54
Около -170% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.7
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.2
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
20
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
20.7
Скорость записи, Гб/сек
8.1
19.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
4235
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link