RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
63
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
37
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
16.0
Скорость записи, Гб/сек
7.5
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
2808
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link