RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Puntuación global
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
63
En -70% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
37
Velocidad de lectura, GB/s
8.1
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1945
2808
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link