Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Средняя оценка

Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Сообщить об ошибке

Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB

Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 63

Около -103% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18 8.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.2 7.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

63 31
Скорость чтения, Гб/сек

8.1 18.0
Скорость записи, Гб/сек

7.5 15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1945 3040

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston 99U5723-002.A00G 8GB

Kingston 99U5723-002.A00G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB

Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB

модули RAM

Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB

Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB

модули RAM

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB

Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB

Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB

Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB

модули RAM

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB

модули RAM