Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB против Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Средняя оценка

Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB

Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Причины выбрать
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

25600 17000

Около 1.51% выше полоса пропускания

Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB

Причины выбрать
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 50

Около -117% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.9 15.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.7 10.9

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

50 23
Скорость чтения, Гб/сек

15.3 16.9
Скорость записи, Гб/сек

10.9 11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 17000

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2512 3034

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingston 9965640-016.A00G 32GB

Kingston 9965640-016.A00G 32GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB

Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB

Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB

Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB

Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB

модули RAM

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Kingston 9905702-020.A00G 8GB

Kingston 9905702-020.A00G 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB

Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB

модули RAM