RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Сравнить
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB против Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Средняя оценка
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
46
Около -70% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.8
Скорость записи, Гб/сек
12.4
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2660
2148
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link