RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Porównaj
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB vs Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.4
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2660
2148
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link