RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
45
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.6
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
36
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
13.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
2231
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link