RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
36
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
36
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
13.6
Скорость записи, Гб/сек
6.8
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2690
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link