RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
67
Около 55% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
67
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
16.0
Скорость записи, Гб/сек
6.8
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2030
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link