RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
67
Rund um 55% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
67
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
8.5
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
2030
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link