RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Сравнить
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB против Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Средняя оценка
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
12.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
77
Около -221% меньшая задержка
Выше скорость записи
5.6
1,884.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
24
Скорость чтения, Гб/сек
2,936.9
12.6
Скорость записи, Гб/сек
1,884.0
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
564
2130
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link