SK Hynix DDR2 800 2G 2GB против Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Средняя оценка

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Причины выбрать
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

1,884.0 1,813.5

Среднее значение в тестах

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

56 77

Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения

4 2

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR2
Задержка в PassMark, нс

77 56
Скорость чтения, Гб/сек

2,936.9 4,387.7
Скорость записи, Гб/сек

1,884.0 1,813.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 6400

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

564 693

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB

Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB

Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB

модули RAM

Kingston 9905402-665.A00LF 4GB

Kingston 9905402-665.A00LF 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB

модули RAM

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Kingston XRGM6C-MIE 16GB

Kingston XRGM6C-MIE 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Kingston 9905700-072.A01G 16GB

Kingston 9905700-072.A01G 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB

модули RAM