SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB против Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Средняя оценка

Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

41 52

Около 21% меньшая задержка
Выше скорость чтения

11.6 10.5

Среднее значение в тестах

Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB

Причины выбрать
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

7.7 7.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

41 52
Скорость чтения, Гб/сек

11.6 10.5
Скорость записи, Гб/сек

7.3 7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1438 2236

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB

Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB

Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB

модули RAM

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Kingston 9905622-075.A00G 8GB

Kingston 9905622-075.A00G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Kingston 99U5700-028.A00G 8GB

Kingston 99U5700-028.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB

InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB

Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB

Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB

модули RAM