SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

22 49

Около -123% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.5 8.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.2 5.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

49 22
Скорость чтения, Гб/сек

8.2 17.5
Скорость записи, Гб/сек

5.2 13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1223 3169

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB

Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Kingston 9905624-009.A00G 8GB

Kingston 9905624-009.A00G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB

A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB

модули RAM