SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB

Средняя оценка

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

12.5 11.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.8 7.9

Среднее значение в тестах

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 43

Около -54% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

43 28
Скорость чтения, Гб/сек

12.5 11.8
Скорость записи, Гб/сек

8.8 7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 12800

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1993 1920

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Apacer Technology D22.23263S.002 16GB

Apacer Technology D22.23263S.002 16GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB

Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB

модули RAM

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB

Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Kingston 9905744-077.A00G 16GB

Kingston 9905744-077.A00G 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB

Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Kingston XF875V-MIH 8GB

Kingston XF875V-MIH 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB

SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB

модули RAM

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Kingston X75V1H-MIE 32GB

Kingston X75V1H-MIE 32GB

модули RAM