RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сравнить
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB против Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Средняя оценка
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
37
Около 5% меньшая задержка
Причины выбрать
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
37
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.0
Скорость записи, Гб/сек
7.3
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1570
2808
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link