Confronto tra le RAM Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Punteggio complessivo

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

35 37

Intorno 5% latenza inferiore

Motivi da considerare
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

16 12.3

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.6 7.3

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 12800

Intorno 1.5 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1570 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns