RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Сравнить
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB против Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
-->
Средняя оценка
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
54
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.3
1,781.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,269.3
14.2
Скорость записи, Гб/сек
1,781.8
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
618
2984
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link