RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
10.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
46
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.0
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
35
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
10.3
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2327
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5428-017.A00LF 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link