RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
46
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.9
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
29
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
13.6
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2419
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link