RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
50
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.2
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
43
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
11.6
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2615
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link