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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
总分
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
总分
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
53
左右 25% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20
11.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
53
读取速度,GB/s
11.3
20.0
写入速度,GB/s
7.5
9.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1654
2366
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB RAM的比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
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Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
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