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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
46
左右 -64% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
2,061.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
28
读取速度,GB/s
4,937.3
14.1
写入速度,GB/s
2,061.2
7.5
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
2414
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
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