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AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
比较
AMD AE34G2139U2 4GB vs Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
总分
AMD AE34G2139U2 4GB
总分
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G2139U2 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
56
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
7.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
5.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
28
读取速度,GB/s
7.4
18.3
写入速度,GB/s
5.6
15.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1462
3736
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
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Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
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