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AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
73
左右 -143% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
30
读取速度,GB/s
6.3
16.6
写入速度,GB/s
5.2
12.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3279
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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INTENSO M418039 8GB
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Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
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