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AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
73
左右 -192% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.6
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
25
读取速度,GB/s
6.3
15.5
写入速度,GB/s
5.2
7.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2364
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
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Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
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