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AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
73
左右 -181% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
26
读取速度,GB/s
6.3
18.8
写入速度,GB/s
5.2
15.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3666
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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