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AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
73
左右 -97% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
37
读取速度,GB/s
6.3
15.1
写入速度,GB/s
5.2
11.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2804
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
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