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AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
73
左右 -217% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.1
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
23
读取速度,GB/s
6.3
19.1
写入速度,GB/s
5.2
17.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3666
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
UMAX Technology 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
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