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AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
53
73
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.3
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.7
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
53
读取速度,GB/s
6.3
10.3
写入速度,GB/s
5.2
7.7
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2356
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
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