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AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

AMD R5316G1609U2K 8GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

总分
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AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

总分
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Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

差异 规格 评论

差异

AMD R5316G1609U2K 8GB 需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB 需要考虑的原因
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    47 left arrow 73
    左右 -55% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    10 left arrow 6.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.5 left arrow 5.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    73 left arrow 47
  • 读取速度，GB/s
    6.3 left arrow 10.0
  • 写入速度，GB/s
    5.2 left arrow 7.5
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1309 left arrow 2308

AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较

Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
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内存RAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
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AMD R538G1601U2S 8GB
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Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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