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AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
37
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
35
读取速度,GB/s
15.4
15.5
写入速度,GB/s
9.2
11.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2822
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
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