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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
38
左右 55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
38
读取速度,GB/s
22.8
14.4
写入速度,GB/s
15.4
11.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2856
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
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