RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
38
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
38
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
2856
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link