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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
31
左右 45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
31
读取速度,GB/s
22.8
17.3
写入速度,GB/s
15.4
13.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2762
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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