RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Comparar
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Pontuação geral
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
31
Por volta de 45% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.8
17.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
13.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
17
31
Velocidade de leitura, GB/s
22.8
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
15.4
13.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3391
2762
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparações de RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kingston 9905403-02X.A00LF 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link