RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
52
左右 -53% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.6
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
34
读取速度,GB/s
4,226.4
17.1
写入速度,GB/s
1,479.2
13.6
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
3083
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB RAM的比较
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link