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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
52
左右 -53% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.2
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
34
读取速度,GB/s
4,226.4
15.9
写入速度,GB/s
1,479.2
11.2
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
2800
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
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