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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
比较
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
总分
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,935.8
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
45
左右 -80% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
25
读取速度,GB/s
6,336.8
15.0
写入速度,GB/s
2,935.8
11.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1144
2892
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM的比较
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
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