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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
总分
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
总分
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
30
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
30
读取速度,GB/s
13.2
16.2
写入速度,GB/s
8.4
11.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
2966
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
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